Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.61$ | 2.74$ |
5 - 9 | 2.48$ | 2.60$ |
10 - 24 | 2.35$ | 2.47$ |
25 - 49 | 2.22$ | 2.33$ |
50 - 99 | 2.16$ | 2.27$ |
100 - 249 | 2.11$ | 2.22$ |
250+ | 2.01$ | 2.11$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.61$ | 2.74$ |
5 - 9 | 2.48$ | 2.60$ |
10 - 24 | 2.35$ | 2.47$ |
25 - 49 | 2.22$ | 2.33$ |
50 - 99 | 2.16$ | 2.27$ |
100 - 249 | 2.11$ | 2.22$ |
250+ | 2.01$ | 2.11$ |
Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - BUZ72A. Transistor canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 21:25.
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