Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A - BTS611L1E
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 11.13$ | 11.69$ |
| 2 - 2 | 10.57$ | 11.10$ |
| 3 - 4 | 10.02$ | 10.52$ |
| 5 - 9 | 9.46$ | 9.93$ |
| 10 - 19 | 9.24$ | 9.70$ |
| 20 - 29 | 9.01$ | 9.46$ |
| 30 - 524 | 8.68$ | 9.11$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 11.13$ | 11.69$ |
| 2 - 2 | 10.57$ | 11.10$ |
| 3 - 4 | 10.02$ | 10.52$ |
| 5 - 9 | 9.46$ | 9.93$ |
| 10 - 19 | 9.24$ | 9.70$ |
| 20 - 29 | 9.01$ | 9.46$ |
| 30 - 524 | 8.68$ | 9.11$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A - BTS611L1E. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BTS611L1. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 17:25.
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