Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.74$ | 0.78$ |
10 - 24 | 0.71$ | 0.75$ |
25 - 49 | 0.67$ | 0.70$ |
50 - 99 | 0.63$ | 0.66$ |
100 - 249 | 0.30$ | 0.32$ |
250 - 499 | 0.29$ | 0.30$ |
500 - 1045 | 0.27$ | 0.28$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.74$ | 0.78$ |
10 - 24 | 0.71$ | 0.75$ |
25 - 49 | 0.67$ | 0.70$ |
50 - 99 | 0.63$ | 0.66$ |
100 - 249 | 0.30$ | 0.32$ |
250 - 499 | 0.29$ | 0.30$ |
500 - 1045 | 0.27$ | 0.28$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A - BSN20-215. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSN20. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 11:25.
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