Transistor canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - BS170

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.31$	0.33$
10 - 24	0.30$	0.32$
25 - 49	0.28$	0.29$
50 - 99	0.27$	0.28$
100 - 249	0.26$	0.27$
250 - 499	0.25$	0.26$
500 - 8804	0.24$	0.25$

Quantité	U.P
1 - 9	0.31$	0.33$
10 - 24	0.30$	0.32$
25 - 49	0.28$	0.29$
50 - 99	0.27$	0.28$
100 - 249	0.26$	0.27$
250 - 499	0.25$	0.26$
500 - 8804	0.24$	0.25$

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Transistor canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - BS170. Transistor canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.5A. Idss (maxi): 10nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 24pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: BS170. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Petits signaux. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.

Documentation technique