Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.79$ | 0.83$ |
10 - 24 | 0.75$ | 0.79$ |
25 - 49 | 0.71$ | 0.75$ |
50 - 99 | 0.67$ | 0.70$ |
100 - 249 | 0.65$ | 0.68$ |
250 - 499 | 0.64$ | 0.67$ |
500 - 1094 | 0.61$ | 0.64$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.79$ | 0.83$ |
10 - 24 | 0.75$ | 0.79$ |
25 - 49 | 0.71$ | 0.75$ |
50 - 99 | 0.67$ | 0.70$ |
100 - 249 | 0.65$ | 0.68$ |
250 - 499 | 0.64$ | 0.67$ |
500 - 1094 | 0.61$ | 0.64$ |
Transistor canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BF545B. Transistor canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 21*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 6mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 21:25.
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