Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 10.19$ | 10.70$ |
2 - 2 | 9.68$ | 10.16$ |
3 - 4 | 9.17$ | 9.63$ |
5 - 9 | 8.66$ | 9.09$ |
10 - 19 | 8.46$ | 8.88$ |
20 - 29 | 8.26$ | 8.67$ |
30+ | 7.95$ | 8.35$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 10.19$ | 10.70$ |
2 - 2 | 9.68$ | 10.16$ |
3 - 4 | 9.17$ | 9.63$ |
5 - 9 | 8.66$ | 9.09$ |
10 - 19 | 8.46$ | 8.88$ |
20 - 29 | 8.26$ | 8.67$ |
30+ | 7.95$ | 8.35$ |
Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V - 2SK2647. Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.
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