Transistor canal N, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SK1217

Quantité	HT	TTC
1 - 1	33.68$	35.36$
2 - 2	31.99$	33.59$
3 - 4	30.31$	31.83$
5 - 9	28.62$	30.05$
10 - 14	27.95$	29.35$
15 - 19	27.28$	28.64$
20+	26.27$	27.58$

Quantité	U.P
1 - 1	33.68$	35.36$
2 - 2	31.99$	33.59$
3 - 4	30.31$	31.83$
5 - 9	28.62$	30.05$
10 - 14	27.95$	29.35$
15 - 19	27.28$	28.64$
20+	26.27$	27.58$

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Transistor canal N, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SK1217. Transistor canal N, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF, 900V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (in): 1400pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 300 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 16:25.

Documentation technique