Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Remarque: soudure sur circuit imprimé. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. VCC: 4.5-5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: Vcc 4.5V...5.5V. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Boîtier (selon fiche technique): PC DIP-28

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Spec info: interface SPI. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: 93C76. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fréquence de fonctionnement: 2 MHz. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension d'alimentation (op): 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Longueur d'onde (dominante): Circuit intégré de mémoire EEPROM. Equivalences: M95320-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Fonction: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Remarque: tension d'entrée 4.5V...5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C

Circuit intégré mémoire. Remarque: MEMORY. Remarque: TV ULTRAVOX

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 4.9x3.9mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (150mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 5.23x5.28mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (200mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Fonction: spec. Nombre de connexions: 8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOIC-8

Circuit intégré mémoire. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: VDD 2.5V...6V

Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Remarque: lowest address sector protected. Remarque: Page Mode Flash Memory featuring. Nombre de connexions: 64. Dimensions: 11x13mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Technologie de traitement MirrorBit. Boîtier: BGA. Boîtier (selon fiche technique): 'LAA064 Fortified Ball Grid Array'. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tension d'alimentation (op): 4 v

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: Dual Mode Serial Eeprom. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24S. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: uPD41. Taille de la mémoire [octet]: 256 Kbit. Configuration de la mémoire: 256K x 1-bit. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8