Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: M93C46-W. Equivalences: M93C46-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: Temps de montée et de descente d'entrée max 50ns. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M93C56-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M93C66-WMN6TP (2500 pièces/rouleau). Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension d'alimentation (op): 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M93C86-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V, 93LC46A/ISN. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: SONY SLVX711. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Circuit intégré mémoire. Remarque: Mémoire Flash CMOS. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): TS-32. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: Mémoire Flash CMOS. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: mémoire 64kbits. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 2.7...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Remarque: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Remarque: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Remarque: conserve les données pendant 40 ans. Marquage sur le boîtier: 2DC. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 8S1 ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.25V

Circuit intégré mémoire. Fonction: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 64kx8bit I2C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 8S1 ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Marquage sur le boîtier: 93C46P. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C164LI. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C64F. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C64F. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: SRAM. Série: CMOS

Circuit intégré mémoire. Fonction: mémoire RAM statique CMOS 2K x 8. Spec info: 120ns access time. Tension d'alimentation: 5V