Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.70$ | 1.79$ |
5 - 9 | 1.61$ | 1.69$ |
10 - 24 | 1.53$ | 1.61$ |
25 - 49 | 1.44$ | 1.51$ |
50 - 99 | 1.41$ | 1.48$ |
100 - 249 | 1.38$ | 1.45$ |
250 - 396 | 1.31$ | 1.38$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.70$ | 1.79$ |
5 - 9 | 1.61$ | 1.69$ |
10 - 24 | 1.53$ | 1.61$ |
25 - 49 | 1.44$ | 1.51$ |
50 - 99 | 1.41$ | 1.48$ |
100 - 249 | 1.38$ | 1.45$ |
250 - 396 | 1.31$ | 1.38$ |
Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - IRFS630A. Transistor canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 500pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 137 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Advanced Power MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Advanced Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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