Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.07$ | 2.17$ |
5 - 9 | 1.97$ | 2.07$ |
10 - 24 | 1.87$ | 1.96$ |
25 - 49 | 1.76$ | 1.85$ |
50 - 99 | 1.72$ | 1.81$ |
100 - 108 | 1.55$ | 1.63$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.07$ | 2.17$ |
5 - 9 | 1.97$ | 2.07$ |
10 - 24 | 1.87$ | 1.96$ |
25 - 49 | 1.76$ | 1.85$ |
50 - 99 | 1.72$ | 1.81$ |
100 - 108 | 1.55$ | 1.63$ |
Transistor canal P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V - IRF9630. Transistor canal P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 700pF. C (out): 200pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26A. Id (T=100°C): 4A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.
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