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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode HFA50PA60CPBF

Diode HFA50PA60CPBF
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1 - 1 15.50$ 16.28$
2 - 2 14.73$ 15.47$
3 - 4 13.95$ 14.65$
5 - 9 13.18$ 13.84$
10 - 14 12.87$ 13.51$
15 - 19 12.56$ 13.19$
20 - 89 12.09$ 12.69$
Quantité U.P
1 - 1 15.50$ 16.28$
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Diode HFA50PA60CPBF. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: double diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 2x25A. Ifsm [A]: 225A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA..2mA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 25A. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 18:25.

Documentation technique

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Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS
DSEK60-06A
Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS
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19.97$ TTC
(19.02$ HT)
19.97$

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