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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Diodes Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V - HER304

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V - HER304
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Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V - HER304. Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 12:25.

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Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 3A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
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