Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 84.89$ | 89.13$ |
2 - 2 | 80.64$ | 84.67$ |
3 - 4 | 76.40$ | 80.22$ |
5 - 9 | 72.15$ | 75.76$ |
10 - 14 | 70.46$ | 73.98$ |
15 - 19 | 68.76$ | 72.20$ |
20+ | 66.21$ | 69.52$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 84.89$ | 89.13$ |
2 - 2 | 80.64$ | 84.67$ |
3 - 4 | 76.40$ | 80.22$ |
5 - 9 | 72.15$ | 75.76$ |
10 - 14 | 70.46$ | 73.98$ |
15 - 19 | 68.76$ | 72.20$ |
20+ | 66.21$ | 69.52$ |
Diode, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V - DSEI2X101-12A. Diode, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. IF(AV): 2x91A. IFSM: 900A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 15mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. Délai de livraison: KB. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.87V. Tension de seuil Vf (min): 1.61V. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Remarque: diode épitaxiale, courant fort. Remarque: 900App/10ms, 45°C. Fonction: double diode à récupération rapide. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 21:25.
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