Diodes standard et de redressement

Diode, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Fonction: diode de puissance. Filetage: M6. Spec info: 600App/10ms. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, DO-205, DO-205AC. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205AC. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Remarque: DO-8P inversé, filetage M12. Remarque: boîtier fileté - Anode (courant élevé)

Diode, 15.9A, 300A, TO-220FP, TO-220FP-3, 600V. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V

Diode, 20A, 255A, TO-220, TO-220L, 800V. IF(AV): 20A. IFSM: 255A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220L. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifiers. IRM (max): 500uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V

Diode, 25A, 350A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 800V. IF(AV): 25A. IFSM: 350A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Remarque: cathode (1), anode (2), non connecté (3). Remarque: boîtier TO220 isolé. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: 350Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V

Diode, 0.2A, SOT-323, SOT-323, 20V. IF(AV): 0.2A. Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT-323. VRRM: 20V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS UMD3. Marquage sur le boîtier: UMD3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 20mA, 500mA, 3x12mm, 12000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (min): 5uA. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 20mA, 500mA, 3x12mm, 16000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V

Diode, 5A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrahigh-Definition Display Applications. Remarque: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 20A, 180A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 20A. IFSM: 180A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Marquage sur le boîtier: 20LC30. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 3A, 100A, DO-201, DO-201AD, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: DIODE-RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: DGP30L. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, TO-220, T0-220FPAB, 1500V. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: double diode au silicium. Remarque: DAMPER +MODULATION. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, TO-220, T0-220AB, 1500V. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220AB. VRRM: 1500V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: double diode au silicium. Remarque: DAMPER +MODULATION. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 11A, 75A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 11A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 78W. RoHS: oui. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.6V. Tension de seuil Vf (min): 2.2A

Diode, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 100A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1.5mA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 357W. RoHS: oui. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.55V

Diode, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. IF(AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.17V

Diode, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. IF(AV): 2x91A. IFSM: 900A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode à récupération rapide. Remarque: diode épitaxiale, courant fort. Remarque: 900App/10ms, 45°C. IRM (max): 15mA. IRM (min): 1.5mA. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Délai de livraison: KB. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.87V. Tension de seuil Vf (min): 1.61V

Diode, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 200V. IF(AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 357W. RoHS: oui. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: à visser. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V

Diode, 37A, 375A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 37A, 375A, TO-247, TO-247AD, 1000V. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 138W. RoHS: oui. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 2V

Diode, 28A, 200A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 28A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 138W. RoHS: oui. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2.2V

Diode, 60A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1000V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V

Diode, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 52A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 189W. RoHS: oui. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2V

Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 90A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.79V