Diodes standard et de redressement

Diode, 1A, 10A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. RoHS: oui. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-213AB. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Version CMS 1N4007. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 10Ap

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MELF. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 40V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.9V @ 3A

Diode, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.5x4.8mm ), 20V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Diode, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.5x4.8mm ), 60V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Diode, 8A, 200A, TO-220, TO-220, 40V. IF(AV): 8A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Ifsm--200Ap

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 30 v. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 50App/8.3ms. Remarque: Vf 0.55V

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms)

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 50V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Remarque: 50App/8.3ms. Remarque: Vf 0.70V

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 60V. IF(AV): 2A. IF(RMS): 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. IRM (min): 1mA. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.70V. Nombre de connexions: 2. Spec info: 50App / 8.3ms

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 2mA. IRM (min): 0.1mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 150V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 2mA. IRM (min): 0.1mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Diode, 5A, 150Ap / 8.3ms, DO-201, DO-201AD, 60V. IF(AV): 5A. IF(RMS): 150Ap / 8.3ms. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Matériau semi-conducteur: Sb. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Nombre de connexions: 2. Remarque: RMS Rew--42V

Diode, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ), 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: SR5100. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Diode, 5A, 120Ap / 8.3ms, DO-201, DO-201AD, 20V. IF(AV): 5A. IF(RMS): 120Ap / 8.3ms. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Matériau semi-conducteur: Sb. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Nombre de connexions: 2

Diode, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 4.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Fonction: diode de redressement Schottky. Marquage sur le boîtier: SR5200. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Cj: 100pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): SMA. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 3A, 80A, DO-214, DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm, 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Equivalences: SS34B. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm, 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Equivalences: SS34-E3/9AT. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode, 3A, 80A, SOD-123, 40V, 425AB SMA (3.8x1.9mm). IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-123. VRRM: 40V. Boîtier (selon fiche technique): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Cj: 152pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 12 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 60mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: 34L. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 34L. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Equivalences: SS36-E3/9AT. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode, 5A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 40V. IF(AV): 5A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 20mA. IRM (min): 200uA. Marquage sur le boîtier: SS54. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.6V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--80A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé