Diodes standard et de redressement

Diode, DO-15, DO-15, 600V. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 60App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1.5A, 60A, DO-15, DO-15, 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, DO-214, SMA DO214AC, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, DO-214, DO-214AC ( SMA ), 1000V. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 30App/10ms

Diode, 2A, 60A, DO-15, DO-15 ( 3.2x7.2mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 3A, DO-27, DO-27 ( 9x5.3mm ), 600V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: FAST RECOVERY RECTIFIER. Remarque: IFSM--200Ap/8.3mS. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB ( SMC ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB ( SMC ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Trr Diode (Min.): 500 sn. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMC DO214AB, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 6A, 200A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 3A, 150A, DO-201, DO-201AD ( 9.1x5.2mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Rectifier. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 5A, 400V. IF(AV): 5A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 0.25A, 15A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ), 4000V. IF(AV): 0.25A. IFSM: 15A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Glass Passivated Junction Rectifier'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Equivalences: HER103G. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Equivalences: HER105G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à haut rendement. Equivalences: HER108G. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 3A, 150A crête, DO-27, DO-27 (5.6 x 9.5mm), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A crête. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 300V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 3A, 150A, DO-27, DO-27 (9.5x5.6mm), 400V. IF(AV): 3A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Poids: 0.4g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 3A, 125A, DO-201, DO-201AD ( 9.0x5.3mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: diode de redressement à haut rendement. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Poids: 1.1g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (8.8x7mm), 1000V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. IRM (max): 200uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tr: 75 ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. IF(AV): 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast. Remarque: Ifsm--60Aps. Dissipation de puissance maxi: 14W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 8A, 60A, TO-220, TO-220AC-2, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 60A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 18 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marquage sur le boîtier: HFA08TB60. Equivalences: 39.2k Ohms. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Spec info: IFRM 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V