Transistor canal N, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier:...
Transistor canal N, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W
Transistor canal N, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W
Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: ...
Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W
Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W
Transistor canal N, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: T...
Transistor canal N, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W
Transistor canal N, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W
Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A...
Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1
Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur ci...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C