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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors FET et MOSFET canal N

Transistors FET et MOSFET canal N

1207 produits disponibles
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Quantité en stock : 465
YJP130G10B

YJP130G10B

Transistor canal N, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier:...
YJP130G10B
Transistor canal N, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W
YJP130G10B
Transistor canal N, 0.0055 Ohms, TO-220AB, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W
Lot de 1
2.59$ TTC
(2.47$ HT)
2.59$
Quantité en stock : 466
YJP200G06A

YJP200G06A

Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: ...
YJP200G06A
Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W
YJP200G06A
Transistor canal N, 0.0029 Ohms, TO-220AB, 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W
Lot de 1
1.97$ TTC
(1.88$ HT)
1.97$
Quantité en stock : 149
YJP70G10A

YJP70G10A

Transistor canal N, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: T...
YJP70G10A
Transistor canal N, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W
YJP70G10A
Transistor canal N, 0.0086 Ohms, TO-220, 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W
Lot de 1
1.59$ TTC
(1.51$ HT)
1.59$
Quantité en stock : 596
YTAF630

YTAF630

Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A...
YTAF630
Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1
YTAF630
Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1
Lot de 1
2.05$ TTC
(1.95$ HT)
2.05$
Quantité en stock : 1474
ZVN3306F

ZVN3306F

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur ci...
ZVN3306F
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
ZVN3306F
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
0.76$ TTC
(0.72$ HT)
0.76$
Quantité en stock : 66
ZVNL120A

ZVNL120A

Transistor canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 0.18A. Idss (maxi): 0.1...
ZVNL120A
Transistor canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 0.18A. Idss (maxi): 0.18A. Résistance passante Rds On: 10 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantité par boîtier: 1
ZVNL120A
Transistor canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 0.18A. Idss (maxi): 0.18A. Résistance passante Rds On: 10 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantité par boîtier: 1
Lot de 1
1.90$ TTC
(1.81$ HT)
1.90$
Quantité en stock : 159
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA

Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. I...
ZXMN7A11GTA
Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 70V. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 0uA. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
ZXMN7A11GTA
Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 70V. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 10A. Idss (min): 0uA. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
1.54$ TTC
(1.47$ HT)
1.54$

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