Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A - TSM033NB04CR-RLG
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 9.00$ | 9.45$ |
| 2 - 2 | 8.55$ | 8.98$ |
| 3 - 4 | 8.28$ | 8.69$ |
| 5 - 9 | 8.10$ | 8.51$ |
| 10 - 19 | 7.92$ | 8.32$ |
| 20 - 29 | 7.65$ | 8.03$ |
| 30 - 100 | 7.38$ | 7.75$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 9.00$ | 9.45$ |
| 2 - 2 | 8.55$ | 8.98$ |
| 3 - 4 | 8.28$ | 8.69$ |
| 5 - 9 | 8.10$ | 8.51$ |
| 10 - 19 | 7.92$ | 8.32$ |
| 20 - 29 | 7.65$ | 8.03$ |
| 30 - 100 | 7.38$ | 7.75$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A - TSM033NB04CR-RLG. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5022pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 02:25.
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