Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 64A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4500pF. C (out): 2000pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 360A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 81A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.012 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 81 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 60V, 70A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Remarque: transistor complémentaire (paire) IRFP9140. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Puissance: 180W. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5600pF. C (out): 1310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Protection G-S: non. Id(imp): 640A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Puissance: 310W. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 31A. Résistance passante Rds On: 0.51 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMOSFET. Dissipation de puissance maxi: 131W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET

Transistor canal N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 22A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3450pF. C (out): 513pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 88A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 277W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP9240. Poids: 4.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Tension drain - source (Vds): 200V. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 150W

Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-247AC, 200V, 30A, 200V, 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Tension drain - source (Vds): 200V. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Marquage du fabricant: IRFP250NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2159pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 214W

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP250PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 250V, 23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4057pF. C (out): 603pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 268 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 200A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Poids: 5.57g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 200V, 50A, 280W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Boîtier (norme JEDEC): 280W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP260NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4057pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 46A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP260PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 250V. C (in): 5400pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, dv/dt dynamique. Protection G-S: non. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V