Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 7.15$ | 7.51$ |
2 - 2 | 6.79$ | 7.13$ |
3 - 4 | 6.43$ | 6.75$ |
5 - 9 | 6.08$ | 6.38$ |
10 - 19 | 5.93$ | 6.23$ |
20 - 29 | 5.79$ | 6.08$ |
30 - 137 | 5.58$ | 5.86$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.15$ | 7.51$ |
2 - 2 | 6.79$ | 7.13$ |
3 - 4 | 6.43$ | 6.75$ |
5 - 9 | 6.08$ | 6.38$ |
10 - 19 | 5.93$ | 6.23$ |
20 - 29 | 5.79$ | 6.08$ |
30 - 137 | 5.58$ | 5.86$ |
Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V - IRFP460APBF. Transistor canal N, TO-247, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247AC, 500V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. RoHS: oui. C (in): 3100pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 21:25.
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