Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 23A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 55. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 46A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 210W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA (F). Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Gain hFE maxi: 15. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3SG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 85pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 195 MHz. Fonction: pilotes de relais, pilotes de lampes, pilotes de moteurs. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C6082. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 23W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2210. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.03A, 15V. Courant de collecteur: 0.03A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 600 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.12W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, A21/B, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: A21/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/12V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/12V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-39, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-39. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.68W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-98, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-98. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 232. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC829. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN