Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 20A, 800V. Courant de collecteur: 20A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 120W. Spec info: 8.729.033.99. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 35A. Marquage sur le boîtier: C5302. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: vitesse rapide (tf=100ns typ). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F2A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Gain hFE maxi: 38. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: C5331. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1987. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92S. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Ic(puls): 400mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA608. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: MONITOR Hi-res. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 3V max. Remarque: 'Triple Diffused MESA Type'. Spec info: MONITOR, Hi-res (F). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(puls): 28A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: VCE(sat) max. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. C (out): 190pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: fH--64KHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Tension de saturation VCE(sat): 5V

Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Sortie de déviation horizontale. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5449. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Courant de collecteur: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: VHF/UHF. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 90. Marquage sur le boîtier: LN. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Spec info: sérigraphie/code CMS LN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Samsung Monitor 19 inch. Gain hFE maxi: 12. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: C5583. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: 'Triple diffusion mesa type'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 15A, 800V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hi-res, monitor 19. Remarque: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: Triple diffusion mesa tipe. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Résistance BE: oui. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse. Gain hFE maxi: 11. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 36A. Marquage sur le boîtier: C5696. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PMLH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: haute vitesse, CTV-HA. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5698. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-251, 7.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 7.5A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2039. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.135V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 21A, 700V. Courant de collecteur: 21A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Remarque: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 20A, 800V. Courant de collecteur: 20A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Remarque: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Spec info: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: C5803. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Courant de collecteur: 22A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 750V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour déviation horizontale haute résolution, TV HD. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 44A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V