Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.76$	2.90$
5 - 9	2.62$	2.75$
10 - 24	2.48$	2.60$
25 - 49	2.35$	2.47$
50 - 99	2.29$	2.40$
100 - 249	2.24$	2.35$
250 - 779	2.13$	2.24$

Quantité	U.P
1 - 4	2.76$	2.90$
5 - 9	2.62$	2.75$
10 - 24	2.48$	2.60$
25 - 49	2.35$	2.47$
50 - 99	2.29$	2.40$
100 - 249	2.24$	2.35$
250 - 779	2.13$	2.24$

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Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG. Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Id(imp): 40A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 00:25.

Documentation technique