Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82$ | 2.96$ |
5 - 9 | 2.68$ | 2.81$ |
10 - 24 | 2.54$ | 2.67$ |
25 - 49 | 2.40$ | 2.52$ |
50 - 81 | 2.34$ | 2.46$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82$ | 2.96$ |
5 - 9 | 2.68$ | 2.81$ |
10 - 24 | 2.54$ | 2.67$ |
25 - 49 | 2.40$ | 2.52$ |
50 - 81 | 2.34$ | 2.46$ |
Transistor canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - STP4NB80FP. Transistor canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 20:25.
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