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Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V - 2SK2647

Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V - 2SK2647
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Quantité HT TTC
1 - 1 10.19$ 10.70$
2 - 2 9.68$ 10.16$
3 - 4 9.17$ 9.63$
5 - 9 8.66$ 9.09$
10 - 19 8.46$ 8.88$
20 - 29 8.26$ 8.67$
30+ 7.95$ 8.35$
Quantité U.P
1 - 1 10.19$ 10.70$
2 - 2 9.68$ 10.16$
3 - 4 9.17$ 9.63$
5 - 9 8.66$ 9.09$
10 - 19 8.46$ 8.88$
20 - 29 8.26$ 8.67$
30+ 7.95$ 8.35$
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Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V - 2SK2647. Transistor canal N, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 16:25.

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