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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Paire de transistors MOSFET N-P

Paire de transistors MOSFET N-P

54 produits disponibles
Produits par page :
12 3
Quantité en stock : 225
FDS8962C

FDS8962C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
FDS8962C
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor MOSFET. Canaux N et P. 'PowerTrench'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V
FDS8962C
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor MOSFET. Canaux N et P. 'PowerTrench'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V
Lot de 1
2.69$ TTC
(2.56$ HT)
2.69$
Quantité en stock : 1
FMY4T148

FMY4T148

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Y4. Marquage sur le boîtier: Y4. RoHS: oui. Montag...
FMY4T148
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Y4. Marquage sur le boîtier: Y4. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): SMT5. Quantité par boîtier: 2
FMY4T148
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Y4. Marquage sur le boîtier: Y4. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): SMT5. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
3.85$ TTC
(3.67$ HT)
3.85$
Quantité en stock : 21
HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). No...
HGTG30N60B3D
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non
HGTG30N60B3D
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non
Lot de 1
17.09$ TTC
(16.28$ HT)
17.09$
Quantité en stock : 30
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). No...
HGTG40N60B3
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non
HGTG40N60B3
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 47 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non
Lot de 1
22.33$ TTC
(21.27$ HT)
22.33$
Quantité en stock : 55
IRF7101

IRF7101

Transistor MOSFET. Fonction: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage...
IRF7101
Transistor MOSFET. Fonction: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
IRF7101
Transistor MOSFET. Fonction: 2xN-CH 20V, Fast Switching. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
1.19$ TTC
(1.13$ HT)
1.19$
Quantité en stock : 178
IRF7309

IRF7309

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.05R & 0.1R. Id (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Nombre de ...
IRF7309
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.05R & 0.1R. Id (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2
IRF7309
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.05R & 0.1R. Id (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET de puissance HEXFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
1.17$ TTC
(1.11$ HT)
1.17$
Quantité en stock : 4026
IRF7317

IRF7317

Transistor MOSFET. C (in): 780pF. C (out): 430pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonct...
IRF7317
Transistor MOSFET. C (in): 780pF. C (out): 430pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: 0.029R & 0.58R. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
IRF7317
Transistor MOSFET. C (in): 780pF. C (out): 430pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: 0.029R & 0.58R. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
1.88$ TTC
(1.79$ HT)
1.88$
Quantité en stock : 44
IRF7319

IRF7319

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: F7319. Nombre de connexions: 8. Dis...
IRF7319
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: F7319. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: ( = P23AF 4532 SMD ). Remarque: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
IRF7319
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: F7319. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P-HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Remarque: ( = P23AF 4532 SMD ). Remarque: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms
Lot de 1
1.64$ TTC
(1.56$ HT)
1.64$
Quantité en stock : 138
IRF7343

IRF7343

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
IRF7343
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms
IRF7343
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms
Lot de 1
3.12$ TTC
(2.97$ HT)
3.12$
Quantité en stock : 50
IRF7389

IRF7389

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
IRF7389
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms
IRF7389
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms
Lot de 1
1.62$ TTC
(1.54$ HT)
1.62$
Quantité en stock : 170
P2804NVG

P2804NVG

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 28 & 65m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipatio...
P2804NVG
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 28 & 65m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2
P2804NVG
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 28 & 65m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
2.14$ TTC
(2.04$ HT)
2.14$
Quantité en stock : 77
SI4532ADY

SI4532ADY

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.2W....
SI4532ADY
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS
SI4532ADY
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS
Lot de 1
1.38$ TTC
(1.31$ HT)
1.38$
Quantité en stock : 2461
SI4532CDY

SI4532CDY

Transistor MOSFET. C (in): 340pF. C (out): 67pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Idss (...
SI4532CDY
Transistor MOSFET. C (in): 340pF. C (out): 67pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
SI4532CDY
Transistor MOSFET. C (in): 340pF. C (out): 67pF. Type de canal: N-P. Trr Diode (Min.): 30 ns. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
Lot de 1
1.30$ TTC
(1.24$ HT)
1.30$
Quantité en stock : 10
SI4539ADY

SI4539ADY

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
SI4539ADY
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS
SI4539ADY
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS
Lot de 1
2.37$ TTC
(2.26$ HT)
2.37$
Quantité en stock : 41
SI4542DY

SI4542DY

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
SI4542DY
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS
SI4542DY
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: D-S-MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS
Lot de 1
3.51$ TTC
(3.34$ HT)
3.51$
Quantité en stock : 66
SI9926BDY

SI9926BDY

Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)....
SI9926BDY
Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: (G-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
SI9926BDY
Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: (G-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
1.87$ TTC
(1.78$ HT)
1.87$
Quantité en stock : 120
SI9936BDY

SI9936BDY

Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant mo...
SI9936BDY
Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
SI9936BDY
Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
2.47$ TTC
(2.35$ HT)
2.47$
Quantité en stock : 5
SI9943DYT1

SI9943DYT1

Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)....
SI9943DYT1
Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
SI9943DYT1
Transistor MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
25.03$ TTC
(23.84$ HT)
25.03$
Quantité en stock : 2067
SI9945AEY

SI9945AEY

Transistor MOSFET. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: 9.31k Ohms. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (maxi): ...
SI9945AEY
Transistor MOSFET. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: 9.31k Ohms. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (maxi): 3.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 60V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
SI9945AEY
Transistor MOSFET. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: 9.31k Ohms. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (maxi): 3.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 60V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
1.87$ TTC
(1.78$ HT)
1.87$
En rupture de stock
SI9956DY

SI9956DY

Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant mo...
SI9956DY
Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
SI9956DY
Transistor MOSFET. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
2.81$ TTC
(2.68$ HT)
2.81$
Quantité en stock : 5
SK85MH10

SK85MH10

Transistor MOSFET. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: module. Configuratio...
SK85MH10
Transistor MOSFET. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: module. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SK85MH10. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 570 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9100pF. Famille de composants: pont MOSFET complet, NMOS. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C
SK85MH10
Transistor MOSFET. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: module. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SK85MH10. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 570 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9100pF. Famille de composants: pont MOSFET complet, NMOS. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C
Lot de 1
80.35$ TTC
(76.52$ HT)
80.35$
Quantité en stock : 49
SP8M2

SP8M2

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
SP8M2
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms
SP8M2
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.059 Ohms / 0.065 Ohms
Lot de 1
1.85$ TTC
(1.76$ HT)
1.85$
Quantité en stock : 462
SP8M3

SP8M3

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
SP8M3
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms
SP8M3
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.052 Ohms / 0.057 Ohms
Lot de 1
3.22$ TTC
(3.07$ HT)
3.22$
Quantité en stock : 41
SP8M4

SP8M4

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
SP8M4
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SP8M4FU6TB. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms
SP8M4
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SP8M4FU6TB. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.012 Ohms / 0.020 Ohms
Lot de 1
3.60$ TTC
(3.43$ HT)
3.60$
En rupture de stock
STS4DNF30L

STS4DNF30L

Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation...
STS4DNF30L
Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
STS4DNF30L
Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
1.60$ TTC
(1.52$ HT)
1.60$
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