Transistor MOSFET HGTG30N60B3D

Quantité	HT	TTC
1 - 1	16.28$	17.09$
2 - 2	15.46$	16.23$
3 - 4	14.65$	15.38$
5 - 9	13.83$	14.52$
10 - 14	13.51$	14.19$
15 - 19	13.18$	13.84$
20 - 21	12.69$	13.32$

Quantité	U.P
1 - 1	16.28$	17.09$
2 - 2	15.46$	16.23$
3 - 4	14.65$	15.38$
5 - 9	13.83$	14.52$
10 - 14	13.51$	14.19$
15 - 19	13.18$	13.84$
20 - 21	12.69$	13.32$

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Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 137 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.45V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 28/04/2025, 21:25.

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