Transistor canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.16$	2.27$
5 - 9	2.06$	2.16$
10 - 24	1.95$	2.05$
25 - 49	1.84$	1.93$
50 - 99	1.80$	1.89$
100 - 249	1.75$	1.84$
250 - 1610	1.67$	1.75$

Quantité	U.P
1 - 4	2.16$	2.27$
5 - 9	2.06$	2.16$
10 - 24	1.95$	2.05$
25 - 49	1.84$	1.93$
50 - 99	1.80$	1.89$
100 - 249	1.75$	1.84$
250 - 1610	1.67$	1.75$

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 1610

Lot de 1

Transistor canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843. Transistor canal N, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 161A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.6m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4380pF. C (out): 940pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 39 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 620A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: LR7843. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Fonction: RDS (on) très faible à 4.5V VGS, impédance de grille ultra-faible. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 21:25.

Documentation technique