Diodes standard et de redressement

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U8100E. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U820. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 800V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Remarque: diode de redressement ultra-rapide. Marquage sur le boîtier: U880E. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Diode, 1A, 40A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: oui. Diode Tff(25°C): 25 ns. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U1D. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: U1D. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 20A, 500A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 20A. IFSM: 500A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P2000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 9x9mm ), 800V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A08. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1200V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A12. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 10A, SOD-323, SOD-323F, 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). Marquage sur le boîtier: EQ. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V

Diode, 1.5A, 50A, DO-41, DO-41 ( 2.7x5.0mm ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V

Diode, 30A, A-405 (5.2x2.7mm), 1000V. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode. Remarque: DAEWOO TV

Diode. Remarque: SONY TV

Diode, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. VRRM: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode à commutation rapide et à récupération rapide. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFMS 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V

Diode, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220F, 530V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 530V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 23 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.65V

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap. Poids: 0.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V

Diode, 2A, 50A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V

Diode, 2A, 60A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V

Diode, 3A, 80A, DO-27, DO-27 ( 6.5x8.0mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V