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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V - BC550CG

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V - BC550CG
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Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V - BC550CG. Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): +150°C. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 05:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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