Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.06$ | 1.11$ |
5 - 9 | 1.01$ | 1.06$ |
10 - 24 | 0.96$ | 1.01$ |
25 - 49 | 0.85$ | 0.89$ |
50 - 99 | 0.82$ | 0.86$ |
100 - 149 | 0.77$ | 0.81$ |
150 - 165 | 0.74$ | 0.78$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.06$ | 1.11$ |
5 - 9 | 1.01$ | 1.06$ |
10 - 24 | 0.96$ | 1.01$ |
25 - 49 | 0.85$ | 0.89$ |
50 - 99 | 0.82$ | 0.86$ |
100 - 149 | 0.77$ | 0.81$ |
150 - 165 | 0.74$ | 0.78$ |
Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v - BAS85. Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semicon. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 18:25.
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