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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V - 2SB1659-2SD2589

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V - 2SB1659-2SD2589
Quantité HT TTC
1 - 1 13.14$ 13.80$
2 - 2 12.48$ 13.10$
3 - 4 12.22$ 12.83$
5 - 9 11.83$ 12.42$
10 - 19 11.56$ 12.14$
20 - 29 11.17$ 11.73$
30+ 10.77$ 11.31$
Quantité U.P
1 - 1 13.14$ 13.80$
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V - 2SB1659-2SD2589. Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1+1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP & NPN. Produit d'origine constructeur Sanken. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Marquage sur le boîtier: D2589. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V
2SD2589
Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: TO-220. Gain hFE maxi: 12000. Gain hFE mini: 5000. Marquage sur le boîtier: D2589. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1659. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V
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12.93$ TTC
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2SB1659

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Transistor PNP, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): MT-25 (TO220). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Diode BE: non. C (out): 100pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2589. Type de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V
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Transistor PNP, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): MT-25 (TO220). Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Diode BE: non. C (out): 100pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2589. Type de transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V
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