Diodes Zéner

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-15, DO-204AC, 68V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 68V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: non. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 7.5V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 7.5V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner, DO-41, 8.2V, 2W, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Boîtier: DO-41. Tension Zéner: 8.2V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). VRRM: 8.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 82V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 82V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: non. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 9.1V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 9.1V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 9.1V