Diodes Zéner

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 120V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 120V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 13V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 13V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 130V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 130V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 130V

Diode Zéner, DO-41, 15V, 2W, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Boîtier: DO-41. Tension Zéner: 15V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 150V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 150V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: Z150. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 150V

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 160V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 160V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 18V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 18V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 180V, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 180V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-15, DO-204AC, 20V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: non. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 200V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: Z200. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 22V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 22V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 24V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 24V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 27V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 27V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, DO-41, soudure sur circuit imprimé, DO-204AC, 33V, 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 33V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 17V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 25mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-15, DO-204AC, 39V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 39V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 47V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 47V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 47V

Diode Zéner, DO-41, soudure sur circuit imprimé, DO-204AC, 5.6V, 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 5.6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-41, DO-204AC, 56V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 56V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: oui. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, DO-41, 6.2V, 2W, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Boîtier: DO-41. Tension Zéner: 6.2V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 6.2V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 6.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 6.2V

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 62V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 62V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 62V

Diode Zéner, soudure sur circuit imprimé, DO-15, DO-204AC, 68V, 2W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 68V. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. RoHS: non. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode Zéner, 2W, DO-41, DO-41 ( 2.6x5.1mm ), 7.5V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tension Zéner: 7.5V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner, DO-41, 8.2V, 2W, DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Boîtier: DO-41. Tension Zéner: 8.2V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). VRRM: 8.2V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C