Diodes standard et de redressement

Diode, 5A, 125A, DO-201, DO-201AD, 50V. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 50V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.67V

Diode, 30A, 275A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 275A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: SMPS DIODE. Remarque: double diode au silicium. Remarque: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Nombre de connexions: 3. Spec info: diode de redressement Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 30A, 300A, P-600, P600 ( 8x7.5mm ), 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: P-600. Boîtier (selon fiche technique): P600 ( 8x7.5mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.3mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.42V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Remarque: GI, S. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, 2A, 75A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 30pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V

Diode, 2A, 75A, DO-15, DO-15 ( 3.5x7.5mm ), 400V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 3A, DO-201, DO-201AD, 300V. IF(AV): 3A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SUPER FAST RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (9.1x9.1mm), 600V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMB, DO-214AA, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. If [A]: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 55A. Tension directe Vfmax (V): 0.85V @ 2A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 500uA..10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: sérigraphie/code CMS SK24A. IRM (max): 10mA. Marquage sur le boîtier: SK24A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 2A, 50A, DO-214, SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ), 60V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: sérigraphie/code CMS SK24A. IRM (max): 10mA. Marquage sur le boîtier: SK26A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V

Diode, 5A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm, 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Cj: 200pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Autre nom: SK510C. IRM (max): 1mA. IRM (min): 100uA. Marquage sur le boîtier: SK510. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 165A, 2500A, DO-205, DO-205, 1200V. IF(AV): 165A. IFSM: 2500A. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseur de puissance universel. Remarque: filetage M12, oeillet 8.2mm. Nombre de connexions: 1. Spec info: boîtier fileté - Anode (courant élevé). Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -40...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V

Diode, 1A, 10A, DO-213, DO-213AB ( 2.5x5mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. RoHS: oui. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-213AB. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Version CMS 1N4007. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm 10Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.5x4.8mm ), 20V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1A, DO-41, DO-41 ( 2.5x4.8mm ), 60V. IF(AV): 1A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, 200A, TO-220, TO-220, 40V. IF(AV): 8A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--200Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 30 v. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: Vf 0.55V. Remarque: 50App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 2A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 50V. IF(AV): 2A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: Vf 0.70V. Remarque: 50App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.2x6.7mm ), 60V. IF(AV): 2A. IF(RMS): 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 10mA. IRM (min): 1mA. Nombre de connexions: 2. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 50App / 8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.70V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 40V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 2mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 3A, 80A, DO-201, DO-201AD ( 5.3x9.0mm ), 150V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IRM (max): 2mA. IRM (min): 0.1mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V