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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS

Transistor canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS
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Transistor canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V - 2N7000-ONS. Transistor canal N, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Poids: 0.18g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 22:25.

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Transistor canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.5A. Idss (maxi): 10nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 24pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: BS170. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Petits signaux. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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