Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.12$ | 1.18$ |
2 - 2 | 1.07$ | 1.12$ |
3 - 4 | 1.01$ | 1.06$ |
5 - 9 | 0.95$ | 1.00$ |
10 - 24 | 0.81$ | 0.85$ |
25 - 49 | 0.76$ | 0.80$ |
50 - 412 | 0.71$ | 0.75$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.12$ | 1.18$ |
2 - 2 | 1.07$ | 1.12$ |
3 - 4 | 1.01$ | 1.06$ |
5 - 9 | 0.95$ | 1.00$ |
10 - 24 | 0.81$ | 0.85$ |
25 - 49 | 0.76$ | 0.80$ |
50 - 412 | 0.71$ | 0.75$ |
Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V - 2N3906. Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor Planaire Si-Epitaxial. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.
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