Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8...
Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W9NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W9NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (...
Transistor canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. R...
Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10u...
Transistor canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Transistor canal N, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 30Ap. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v
Transistor canal N, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Protection G-S: non. Id(imp): 30Ap. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7150pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7150pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6435pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6435pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4456pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4456pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5022pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5022pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 104A. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 104A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 56 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 104A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 56 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 107A. Boîtier: soudure sur cir...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 107A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 78 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6253pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 107A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 78 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6253pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, -6A. Boîtier: soudure sur circuit...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, -6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 562pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, -6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 562pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. Id (T=25°C): 0.47A. Idss (maxi): 0.47A. Résistance ...
Transistor canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. Id (T=25°C): 0.47A. Idss (maxi): 0.47A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: V-MOS
Transistor canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. Id (T=25°C): 0.47A. Idss (maxi): 0.47A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: V-MOS
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Boîtier: soudure...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB10N07. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB10N07. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Boîtier: soudure...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB14N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB14N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Boîtier: soudure...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Boîtier: soudure...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB49N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB49N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit ...
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP10N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP10N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C