Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 610pF. C (out): 65pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: variateur de lumière, relais statique, pilote de moteur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 100A. Marquage sur le boîtier: GF10NB60SD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: faible chute de tension (VCE(sat)). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.35V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 380pF. C (out): 46pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: Commandes de moteur à haute fréquence. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: GP10NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: Durée de tenue aux courts-circuits 10us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Remarque: Viso 4000V. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V

Transistor canal N, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 630mA. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 150pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 4A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4NF20L. Dissipation de puissance maxi: 3.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V

Transistor canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK60ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.08 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 345pF. C (out): 72pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 64A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Spec info: Low Gate Charge. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 40V. C (in): 5100pF. C (out): 1270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 67 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation, applications automobiles. Protection G-S: non. Id(imp): 480A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

ROHS: Oui. Boîtier: TO220-3. Montage/installation: THT. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET. Polarité: unipolaire. Technologie: MDmesh™. Tension drain - source: 550V. Courant de drain: 20A. Résistance dans l'état passant: 250m Ohms. Tension grille-source: ±30V. Puissance: 192W. Type de canal: 'enhanced'

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 870pF. C (out): 125pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100us. Tension de seuil de la diode: 1.5V. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Protection G-S: non. Id(imp): 104A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P24NF10. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 10.4A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 3.5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMESH III

Transistor canal N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 1.51A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH Power MOSFET

Transistor canal N, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 590pF. C (out): 63pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 12A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 16A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 60V, TO220. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: TO220. Dissipation de puissance maxi: 110W. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT

Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1810pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 73ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maxi): 62A. Résistance passante Rds On: 12.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 33V. C (in): 1330pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: entièrement protégé. Protection G-S: oui. Id(imp): 248A. Marquage sur le boîtier: P62NS04Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P65NF06. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 24A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 32W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: oui. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: Zener-Protected. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V