Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 150V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor PNP, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Courant de collecteur: 0.07A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--MP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation haute tension. Ic(puls): 0.14A. Remarque: hauteur 9mm. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2910. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.14V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor PNP, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): 2-5K1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 40pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: NY. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie / code CMS NY. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 26pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D3/B, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D3/B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI, NF-E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3182. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.15A, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 70. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3263. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): MT-100. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. C (out): 500pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Fonction: Audio HIFI. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3263. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 17A, 230V. Courant de collecteur: 17A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3264. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 17A, MT-200, 230V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier (selon fiche technique): MT-200. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3264. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI-NF-E. Dissipation de puissance maxi: 120W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3280. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HIFI-NF-E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3281. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3284. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3298. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3299. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F (2-8A1H). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3421Y. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): 2-8H1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Dissipation de puissance maxi: 5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3423. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: vidéo. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): MT-100(TO3P). Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. C (out): 500pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Marquage sur le boîtier: A1386A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3519A. Poids: 6g. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/50V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W