Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX690. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: très faible saturation VBE(sat) 0.95V. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 300. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V