Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 1.5A. Marquage sur le boîtier: AH. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS AH. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: amplificateurs audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 1.5A. Remarque: sérigraphie/code CMS AK. Marquage sur le boîtier: AK. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX56-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, SOT89, -80V. Boîtier: SOT89. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 1W. Tension base / collecteur VCBO: -100V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 125MHz. Gain hFE min.: 25. Courant maximum 1: -1A. Série: BCX

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AL. Fréquence de coupure ft [MHz]: 125 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.1A, 32V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: NF/S. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD140. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V, 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 3A

Transistor PNP, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1.5A, 45V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Applications audio, linéaires de puissance et de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD237. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD238G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD239C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD241C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD242CG. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C

Transistor PNP, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD250C. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 32V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD438. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, -45V, -4A, TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz