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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX550

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX550
Quantité HT TTC
1 - 4 1.63$ 1.71$
5 - 9 1.55$ 1.63$
10 - 24 1.50$ 1.58$
25 - 49 1.47$ 1.54$
50 - 99 1.44$ 1.51$
100 - 249 1.39$ 1.46$
250+ 1.34$ 1.41$
Quantité U.P
1 - 4 1.63$ 1.71$
5 - 9 1.55$ 1.63$
10 - 24 1.50$ 1.58$
25 - 49 1.47$ 1.54$
50 - 99 1.44$ 1.51$
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Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V - ZTX550. Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Diodes Inc.. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 20:25.

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Quantité en stock : 268
BC327-25

BC327-25

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (sel...
BC327-25
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
BC327-25
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
Lot de 10
1.19$ TTC
(1.13$ HT)
1.19$
Quantité en stock : 2510
BC640

BC640

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon f...
BC640
Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BC640
Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.26$ TTC
(0.25$ HT)
0.26$
Quantité en stock : 3369
BC327-25-AMMO

BC327-25-AMMO

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92....
BC327-25-AMMO
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
BC327-25-AMMO
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
Lot de 10
1.18$ TTC
(1.12$ HT)
1.18$
Quantité en stock : 43
ZTX551

ZTX551

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon f...
ZTX551
Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX451. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V
ZTX551
Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX451. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.71$ TTC
(1.63$ HT)
1.71$

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