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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 17A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V - 2SA1962OTU

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Transistor PNP, 17A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V - 2SA1962OTU. Transistor PNP, 17A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. Courant de collecteur: 17A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 360pF. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5242. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 22:25.

Documentation technique

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Transistor PNP, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Fonction: NF-HI-FI. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5242. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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