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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.2A, 50V - 2SC1364

Transistor NPN, 0.2A, 50V - 2SC1364
Quantité HT TTC
1 - 9 0.66$ 0.69$
10 - 24 0.63$ 0.66$
25 - 49 0.61$ 0.64$
50 - 99 0.60$ 0.63$
100 - 249 0.58$ 0.61$
250 - 499 0.56$ 0.59$
500+ 0.55$ 0.58$
Quantité U.P
1 - 9 0.66$ 0.69$
10 - 24 0.63$ 0.66$
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100 - 249 0.58$ 0.61$
250 - 499 0.56$ 0.59$
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Lot de 1

Transistor NPN, 0.2A, 50V - 2SC1364. Transistor NPN, 0.2A, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Dimensions: 12x23mm. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
BC637
Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
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1.12$ TTC
(1.07$ HT)
1.12$

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