Transistor IGBT SGP30N60HS
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.40$ | 8.82$ |
| 2 - 2 | 7.98$ | 8.38$ |
| 3 - 4 | 7.72$ | 8.11$ |
| 5 - 9 | 7.56$ | 7.94$ |
| 10 - 19 | 7.39$ | 7.76$ |
| 20 - 29 | 7.14$ | 7.50$ |
| 30 - 105 | 6.88$ | 7.22$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 8.40$ | 8.82$ |
| 2 - 2 | 7.98$ | 8.38$ |
| 3 - 4 | 7.72$ | 8.11$ |
| 5 - 9 | 7.56$ | 7.94$ |
| 10 - 19 | 7.39$ | 7.76$ |
| 20 - 29 | 7.14$ | 7.50$ |
| 30 - 105 | 6.88$ | 7.22$ |
Transistor IGBT SGP30N60HS. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 06:25.
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