Transistor IGBT IRG4PF50WPBF

Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4PF50W. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 900V. Courant de collecteur Ic [A]: 51A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 29 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 29 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 900V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Courant de collecteur maxi (A): 204A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 13:25.