Transistor IGBT IGP03N120H2
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.91$ | 6.21$ |
| 5 - 9 | 5.62$ | 5.90$ |
| 10 - 24 | 5.32$ | 5.59$ |
| 25 - 49 | 5.02$ | 5.27$ |
| 50 - 71 | 3.56$ | 3.74$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.91$ | 6.21$ |
| 5 - 9 | 5.62$ | 5.90$ |
| 10 - 24 | 5.32$ | 5.59$ |
| 25 - 49 | 5.02$ | 5.27$ |
| 50 - 71 | 3.56$ | 3.74$ |
Transistor IGBT IGP03N120H2. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G03H1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 281 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Courant de collecteur maxi (A): 9.9A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 07:25.
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