Transistor IGBT HGTG20N60A4

Quantité	HT	TTC
1 - 1	20.52$	21.55$
2 - 2	19.49$	20.46$
3 - 4	19.08$	20.03$
5 - 9	18.47$	19.39$
10 - 14	18.06$	18.96$
15 - 19	17.44$	18.31$
20 - 131	16.82$	17.66$

Quantité	U.P
1 - 1	20.52$	21.55$
2 - 2	19.49$	20.46$
3 - 4	19.08$	20.03$
5 - 9	18.47$	19.39$
10 - 14	18.06$	18.96$
15 - 19	17.44$	18.31$
20 - 131	16.82$	17.66$

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Transistor IGBT HGTG20N60A4. Transistor IGBT. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS Series IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 70A. Ic(puls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. Marquage sur le boîtier: 20N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. Spec info: 290W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 14:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 12

HGTG30N60A4

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier ...

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